Форм-фактор | M.2 2280 |
Объем памяти | 500 ГБ |
Тип ячеек памяти | V-NAND MLC |
Интерфейс | PCIe 3.0 x4 |
NVMe | Поддержка протокола NVMe |
Контроллер | Samsung Phoenix |
Скорость чтения | 3400 |
Скорость записи | 2300 |
Ресурс записи (TBW) | 300 |
Время наработки на отказ | 1.5 млн |
Ударостойкость | 1500 |
Потребляемая мощность | 5.7 Вт |
Рабочая температура | От 0 до 70 |
Температура хранения | От −40 до +85 |
Дополнительно |
Samsung 512 MB Low Power DDR4 SDRAM Поддержка технологии GC (Garbage Collection) AES 256-битное шифрование (класс 0) TCG/Opal IEEE1667 Случайное чтение (4 КБ, QD32): до 370 000 IOPS Случайное чтение (4 КБ, QD1): до 15 000 IOPS Случайная запись (4 КБ, QD32): до 450 000 IOPS Случайная запись (4 КБ, QD1): до 50 000 IOPS |
Габариты | 80.15 x 22.15 x 2.38 |
Вес | 8 |
Комплектация | SSD-диск |
Comments (0)
Только зарегистрированные пользователи могут оставлять комментарии