Форм-фактор | M.2 2280 |
Обсяг пам'яті | 500 ГБ |
Тип елементів пам'яті | V-NAND MLC |
Інтерфейс | PCIe 3.0 x4 |
NVMe | Підтримка протоколу NVMe |
Контролер | Samsung Phoenix |
Швидкість читання | 3400 |
Швидкість запису | 2300 |
Ресурс записи (TBW) | 300 |
Час напрацювання на відмову | 1.5 млн |
Ударостійкість | 1500 |
Споживана потужність | 5.7 Вт |
Робоча температура | Від 0 до 70 |
Температура зберігання | Від −40 до +85 |
Додатково |
Samsung 512 MB Low Power DDR4 SDRAM Підтримка технології GC (Garbage Collection) AES 256-бітове шифрування (клас 0) TCG/Opal IEEE1667 Випадкове читання (4 КБ, QD32): до 370 000 IOPS < br> Випадкове читання (4 КБ, QD1): до 15 000 IOPS Випадковий запис (4 КБ, QD32): до 450 000 IOPS Випадковий запис (4 КБ, QD1): до 50 000 IOPS |
Габарити | 80.15 x 22.15 x 2.38 |
Вага | 8 |
Комплектація | SSD-диск |
Comments (0)
Только зарегистрированные пользователи могут оставлять комментарии